根據(jù)芯片測(cè)試 的目的,可以分為以下5種類型。
1)電學(xué)測(cè)試
電學(xué)測(cè)試是從待 測(cè)器件中鑒別并分離出有電氣故障的器件。一個(gè)電氣故障就是其屮一 個(gè)單元沒有達(dá)到器件的性能規(guī)格。具體來講,電學(xué)測(cè)試就是對(duì)待測(cè)器件(Device Under Test, DUT)施加一連串的電學(xué)激勵(lì)并測(cè)試DUT的響應(yīng)。對(duì)于所加的每一項(xiàng)激勵(lì),將所測(cè)得的響應(yīng)和期望值相比較,任何一個(gè)器件如果所測(cè)得的響應(yīng)在期望值范圍之 外,這個(gè)器件就被認(rèn)為是有故障的。
在生產(chǎn)模式中,電學(xué)測(cè)試的執(zhí)行通常要使用一個(gè)測(cè)試系統(tǒng)或平臺(tái),它由一個(gè)測(cè)試儀 和一個(gè)處理機(jī)組成,如圖1所示。這樣的測(cè)試系統(tǒng)又常被稱為自動(dòng)測(cè)試裝置(Automatic Test Equipment, ATE)。測(cè)試儀執(zhí)行測(cè)試,而處理機(jī)負(fù)責(zé)傳送DUT到測(cè)試點(diǎn)和定位DUT,同時(shí),負(fù)責(zé)在測(cè)試過程執(zhí)行完之后把器件重新裝入到另一個(gè)管子里。
圖1 VLSI自動(dòng)測(cè)試設(shè)備
由測(cè)試儀 進(jìn)行的測(cè)試過程是由測(cè)試程序或測(cè)試軟件控制,這些測(cè)試程序通常是由高級(jí)語言如C++或Pascal編寫的。芯片測(cè)試過程由一系列的測(cè)試模塊組成,每一測(cè)試模塊測(cè)試DUT的某一特定參數(shù)。每一個(gè)測(cè)試模塊內(nèi)包括被測(cè)參數(shù)和必要的給定參數(shù)、測(cè)試激勵(lì)以及測(cè)試時(shí)間信息。
有 兩種版本的測(cè)試程序:一種是生產(chǎn)模式版本(Production Version),另一種是品質(zhì)保證版本(Quality Assurance Version)。與QA版本相比,生產(chǎn)模式版本具有史嚴(yán)格的限制,而QA版本則接近于數(shù)據(jù)手冊(cè)(Datasheet)。生產(chǎn)模式版本和QA版本之間限制 的差異或者防護(hù)帶(Guard Bands)應(yīng)該足夠大,以便將由于整個(gè)測(cè)試過程中不穩(wěn)定或噪聲導(dǎo)致的誤差 考慮在內(nèi)。當(dāng)然也不能太大,否則會(huì)導(dǎo)致超出被否決的范圍(Over-rejection)。如果防護(hù)帶選擇恰當(dāng),任何一個(gè)器件只要通過了生產(chǎn)模式測(cè)試,幾 乎就能通過數(shù)據(jù)手冊(cè)上的限制,不管使用哪個(gè)測(cè)試儀器。
測(cè)試程序通常包括兩種類型的測(cè)試模塊,即參數(shù)測(cè)試和功能測(cè)試。功能測(cè)試檢査器件能否執(zhí) 行它的基本操作。參數(shù)測(cè)試檢查器件是否表現(xiàn)出正確的電壓、電流或者功率特性。參數(shù)測(cè)試通常是在一個(gè)節(jié)點(diǎn)處施加一個(gè)恒壓并在那個(gè)節(jié)點(diǎn)處測(cè)量電流響應(yīng) (Force-Voltage-Measuer-Current, FVMC)或者施加恒流并測(cè)量電壓響應(yīng)(Force-Current-Measure-Voltage, FCMV).
電學(xué)測(cè)試通常是在室溫下進(jìn)行的,不過根據(jù)篩選時(shí)也需要在其他溫度下測(cè)試, 比如在高溫下更容易檢測(cè)到閂鎖效應(yīng),而在低溫下更容易檢測(cè)到熱載流子故障。除了25℃外,其他一些標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試溫度包括-40℃、0℃、70℃、85℃、100℃和125℃。
2)老化測(cè)試
老 化測(cè)試是對(duì)封裝好的電路進(jìn)行可靠性測(cè)試(Reliability Test),它的主要目的是為了檢出早期失效的器件,稱為Infant Mortality。在該時(shí)期失效的器件一般是在硅制造工藝中引起的缺陷(即它厲于壞芯片,但在片上測(cè)試時(shí)并未發(fā)現(xiàn))。在老化試驗(yàn)中,電路插在電路板上, 加上偏壓,并放置在髙溫爐中。圖2所示即為老化測(cè)試版。圖3所示為老化測(cè)試爐。 老化試驗(yàn)的溫度、電壓負(fù)載和吋間都因器件的不同而不同。問一種器件,不同的供應(yīng)商也可能使用不同的條件。但比較通用的條件是溫度在125~150℃,通電 電壓在6.2~7.0V(— 般高出器件工作電壓20%~40%),通電測(cè)試24~48小時(shí)。
圖2 老化測(cè)試 板
圖3 老化測(cè)試爐
老 化測(cè)試本質(zhì)上是模仿DUT的工作壽命,因?yàn)樵诶匣瘻y(cè)試過程屮所施加的電學(xué)激勵(lì)可以反映DUT在它整個(gè)可用壽命周期當(dāng)中所經(jīng)歷的最壞悄況偏置。根據(jù)老化測(cè)試 進(jìn)行的時(shí)間,所測(cè)得的可靠性信息可能會(huì)適合于DUT早期的工作壽命也可能適合于DUT用壞的時(shí)候。老化測(cè)試可以被用作一個(gè)可靠性監(jiān)控或者一個(gè)生產(chǎn)篩子 (Production Screen),以降低器件潛在的早期失效率。
早斯故障(Early Life Failure,ELF)監(jiān)控老化測(cè)試 ,顧名思義,執(zhí)行此項(xiàng)是為廣篩選出潛在的早期故障。這項(xiàng)操作最多需要168個(gè)小時(shí).通常48小時(shí)就可以了。在ELF控老化測(cè)試之后的電學(xué)故障被稱為早期故障,意思是有這種故陣的器件會(huì)在正常的操作過程中過早地失效。
高溫操作壽命測(cè)試(High Temperature Operating Life, HTOL)與ELF監(jiān)控老化測(cè)試相反,測(cè)試的是樣品在被用壞的狀態(tài)下的可靠性。HTOL測(cè)試操作需要1000個(gè)小時(shí),中間在168小時(shí)和500小時(shí)的時(shí)候讀取測(cè)試點(diǎn)。
為 了了解集成電路器件的使用壽命和可靠性,除了上述的老化測(cè)試外,常用加速試驗(yàn)使器件在較短的時(shí)間里失效,并進(jìn)行失效機(jī)理分析,以便盡快找到失效原因,改進(jìn) 設(shè)計(jì)或工藝條件,提高器件的壽命和可靠性。加速試驗(yàn)(Accelerated Test)是可靠性測(cè)試中的一種.一般選擇一個(gè)或幾個(gè)可能引起器件失效的加速因子,如潮氣、溫度、溶劑、潤(rùn)滑劑、沾污、一般的環(huán)境應(yīng)力和剩余應(yīng)力等,模擬 器件在實(shí)際使用過程中可能遇到的使用環(huán)境。對(duì)絕大多數(shù)集成電路產(chǎn)品來講,最短的工作時(shí)間也有好幾年,但是,制造的時(shí)間卻很短,因此,在常規(guī)操作條件下做品 質(zhì)測(cè)試(Qualification Test)是不太實(shí)際的,也是不經(jīng)濟(jì)的。對(duì)于使用壽命很長(zhǎng)、 可靠性很高的產(chǎn)品來講,在60%的置倌度(Confidence Level)條件下,以每千小時(shí)0.1%的失效速率(即103FIT,Failure Unit)測(cè)試產(chǎn)品,則無失效時(shí)間長(zhǎng)達(dá)915 000小時(shí),即若器件樣本數(shù)為915,則要測(cè)試1000小時(shí)才會(huì)有一個(gè)器件失效;若器件的樣本數(shù)為92,則要測(cè) 試10000小時(shí)才會(huì)有一個(gè)器件失效,這樣的測(cè)試既不經(jīng)濟(jì)又費(fèi)時(shí),因此,必須在加速使用條件下進(jìn)行測(cè)試。
3)特性測(cè)試
特 性測(cè)試也稱為設(shè)計(jì)測(cè)試或驗(yàn)證測(cè)試。這類測(cè)試在生產(chǎn)之前進(jìn)行,目的是驗(yàn)證設(shè)計(jì)的正確性,并且器件要滿足所有的需求規(guī)范。需要進(jìn)行功能測(cè)試和全面的AC/DC 測(cè)試。特性測(cè)試確定器件工作參數(shù)的范圍。通常測(cè)試最壞情況,因?yàn)樗绕骄闆r更容易評(píng)估.并且 通過此類測(cè)試的器件將會(huì)在其他任何條件下工作。選擇一個(gè)能判斷芯片好壞的測(cè)試做最壞情況測(cè)試,對(duì)兩個(gè)或更多環(huán)境參數(shù)的每一種組合反復(fù)進(jìn)行測(cè)試,并記錄結(jié) 果。這就意味著要 改變諸如等不同的參數(shù),重復(fù)進(jìn)行功能測(cè)試和各種AD/DC測(cè)試。
特性測(cè)試診斷和修正設(shè)計(jì)的錯(cuò)誤、測(cè)量芯片的特性、設(shè)定最終規(guī)范,并開發(fā)生產(chǎn)測(cè)試程 序。有時(shí)一些特性測(cè)試將進(jìn)入器件的生產(chǎn)過程,以改善設(shè)計(jì),提高良率。
4)生產(chǎn)測(cè)試
每一塊加工的芯片都需要進(jìn)行生產(chǎn)測(cè)試,它沒有特性測(cè)試全面,但必須判定芯片是否符合設(shè)計(jì)的質(zhì)量和要求。測(cè)試矢量需要高的故障覆蓋率,但不需要覆蓋所有的功能和數(shù)據(jù)類型,芯片測(cè)試 時(shí)間(即測(cè)試費(fèi)用)必須最小。不考慮故障診斷,只做通過不通過的判決。生產(chǎn)測(cè)試的特點(diǎn)就是時(shí)間短,但又必須檢驗(yàn)器件的相關(guān)指標(biāo)。它對(duì)每一個(gè)器件進(jìn)行次性的檢杳,不重復(fù)。只是在正常環(huán)境下測(cè)試這些DUT的參數(shù)是否符合器件的規(guī)格指標(biāo)。
5)成品檢測(cè)
將 采購到的器件集成到系統(tǒng)之前,系統(tǒng)制造商都要進(jìn)行成品檢測(cè)。根據(jù)具體情況,這個(gè)測(cè)試可以與生產(chǎn)測(cè)試相似,或者比生產(chǎn)測(cè)試更全面些,甚至可以在特定的應(yīng)用系 統(tǒng)中測(cè)試。 成品檢測(cè)亦可以隨機(jī)抽樣進(jìn)行,抽樣的多少依據(jù)器件的質(zhì)量和系統(tǒng)的要求而定。成品檢測(cè)最重要的目的就是避免將有缺陷的器件放人系統(tǒng)中,否則診斷成本會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超 過成品檢測(cè)的成本。