1.芯片測試分類
當(dāng)完成版圖設(shè)計(jì)后,芯片需要送到代工廠家進(jìn)行制造(稱為流片)。芯片制造完 成后,必須對芯片進(jìn)行測試,以確定芯片的功能和性能是否滿足設(shè)計(jì)的要求。對于研究開發(fā)類芯片,通過測試芯片的功能和性能指標(biāo)值,來分析設(shè)計(jì)和制造工藝對電 路性能的影響。對于大批生產(chǎn)的芯片,則要根據(jù)產(chǎn)品的指標(biāo)要求,測試其功能是否正確以及性能指標(biāo)是否在規(guī)定的范圍之內(nèi),并進(jìn)行分選。在對芯片進(jìn)行測試吋,首 先要將待測芯片與測試系統(tǒng)正確連接,接上電源和地,然后根據(jù)所測指標(biāo)對芯片施加合適的信號,通過分析芯片的輸出信號來得到芯片的功能和性能指標(biāo)。
研發(fā)類芯片的測試可分為三類:在片測試、鍵合測試和芯片封裝測試。在片測試不需要鍵合與封裝,通過芯片測試探針直 接與芯片的焊盤相連,這種測試方法可以減小引線的寄生參數(shù),但是芯片實(shí)際的工作條件與在片測試的條件差別較大。鍵合測試足先將待測芯片用鍵合線鍵合至基板 上再進(jìn)行測試的一種測試方法,測試環(huán)境與實(shí)際工作環(huán)境相近。有些芯片需要在外國增加一些分立元件,如片外電感和電容等,這時候可以采用鍵合測試的方法。芯 片封裝測試是將芯片封裝好后進(jìn)行測試,芯片的測試環(huán)境就是實(shí)際工作的環(huán)境,測試結(jié)果更加接近實(shí)際情況。在芯片研究的初期通常采用在片測試和鍵合測試,在上 述測試滿足要求的情況下再進(jìn)行芯片封裝測試。
2.芯片測試環(huán)境
1)芯片測試探針臺
在片測試需要在專業(yè)的測試臺(稱為芯片測試探針臺)上進(jìn)行;镜測試探針臺由載片部分、接觸部分、閑整部分、顯微鏡部分和控制部分構(gòu)成。載片部分使用水平平面的圓柱體裝載晶圓或芯片,并利用吸盤固定;接觸和調(diào)整部分裝配和凋整芯片測試探針陣列;控制部分用來控制載片臺的移動和旋轉(zhuǎn)。許多控制系統(tǒng)都有手動和自動兩種操作模式。圖1所示的照片是對射頻和超離速芯片進(jìn)行測試的手動測試臺實(shí)物照片。

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圖1 手動芯片測試臺實(shí)物照片
2)芯片測試儀器
無論是在片測試、鍵合測試還是芯片封裝測試,都需要一系列的專用測試設(shè)備。射頻芯片測試設(shè) 備主要有射頻信號源、矢量信號發(fā)生器、網(wǎng)絡(luò)分析儀、頻譜分析儀、噪聲分析儀、高速示波器和直流電源等,如圖2所示。射頻信號源和矢量信號發(fā)生器用來產(chǎn)生測 試芯片所需的激勵信號,網(wǎng)絡(luò)分析儀用來測量S參數(shù),頻譜分析儀用來測量信號的頻譜,噪聲分析儀用來分析電路的噪聲特性。表1給出了部分射頻與微波測量儀器 的名稱與型號。

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圖2 芯片測試儀器照片


表1部分射頻與微波測量儀器型號與功能
3)芯片測試系統(tǒng)構(gòu)建
芯片測試系統(tǒng)由待測器件、射頻測試儀器、直流電源、信號源和同軸電纜組成。若采用在片測試,待測器件為裸片,除上述所列儀器外,還需要測試探針臺和微波探針;若采用鍵合測試,待測器件為鍵合測試板;若采用封裝測試, 待測器件為封裝測試板。測量儀器的選擇取決于所測指標(biāo),射頻芯片的主要測量指標(biāo)包括增益、噪聲系數(shù)、輸入輸出匹配、1dB壓縮點(diǎn)、三階互調(diào)點(diǎn)、混頻器轉(zhuǎn)換 增益等。注意,1dB壓縮點(diǎn)、三階互調(diào)點(diǎn)、混頻器轉(zhuǎn)換增益等指標(biāo)不能直接從測量儀器讀出,需要通過測量信號的頻譜或時域波形并通過計(jì)箅間接得到。若測量輸 出信號頻譜則應(yīng)選擇頻譜分析儀,若測量放大器的增益和輸入輸出匹配則應(yīng)選擇網(wǎng)絡(luò)分析儀,若測量信號的時域波形則應(yīng)選擇示波器,若測量噪聲系數(shù)則應(yīng)選擇噪聲 分析儀,若測量相位噪聲則應(yīng)選擇相位噪聲測量儀等。
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