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英飛凌IGBT開關(guān)模塊FF300R12KT3_E技術(shù)參數(shù)
T4芯片是英飛凌第四代IGBT芯片，它是針對(duì)中小功率高頻應(yīng)用場合而優(yōu)化的。它位于圖的左下角，相對(duì)于其他芯片它具有極低的飽和壓降，開關(guān)損耗也相對(duì)較小，開關(guān)速度也比較快，適合高頻軟開關(guān)應(yīng)用，在軟開關(guān)逆變焊機(jī)20KHz開關(guān)頻率下具有最小的總損耗。另外它最高允許工作結(jié)溫達(dá)到150℃，比DN2和KS4提高了25℃，可以大幅提高溫度安全裕量，是目前最適合軟開關(guān)逆變焊機(jī)應(yīng)用的IGBT芯片，可在軟開關(guān)逆變焊機(jī)中應(yīng)用的采用T4芯片的IGBT模塊型號(hào)有FF100R12MT4,FF150R12MT4,FF200R12MT4, FF200R12KT4, FF300R12KT4等。
DN2芯片是在逆變焊機(jī)中使用比較廣泛的一款I(lǐng)GBT芯片，這款芯片開發(fā)得比較早，從圖5可以發(fā)現(xiàn)，DN2芯片位于圖的右上角，相對(duì)于其他一些后續(xù)的芯片，它具有比較高的開關(guān)損耗和飽和壓降，在20KHz的開關(guān)頻率下，它的總損耗相對(duì)較大。KS4芯片是一款速度很快的IGBT芯片，它位于圖的右下角，相對(duì)于其他芯片，它的飽和壓降高，但它具有最小的開關(guān)損耗，在20KHz以上高頻應(yīng)用領(lǐng)域具有較大的優(yōu)勢，非常適合高頻應(yīng)用。
應(yīng)用范圍：應(yīng)用UPS、開關(guān)電源、變頻器、逆變器、電動(dòng)車輛、充電機(jī)、感應(yīng)加熱、軌道交通、電焊機(jī)以及新興的風(fēng)力發(fā)電、太陽能光伏發(fā)電、電動(dòng)車等新能源行業(yè)等領(lǐng)域。
3. 級(jí)聯(lián)式SVG的IGBT選型
級(jí)聯(lián)式SVG中，不同電壓的SVG可以使用不同數(shù)量的功率單元進(jìn)行串聯(lián)，例如3KV使用4個(gè)1700V的功率單元串聯(lián)，6KV使用8個(gè)1700V的功率單元串聯(lián)，10KV使用12個(gè)1700V的功率單元串聯(lián)。而不同功率等級(jí)的SVG可以使用不同型號(hào)的IGBT模塊。如何根據(jù)功率等級(jí)去選取IGBT模塊？第一步,根據(jù)經(jīng)驗(yàn)對(duì)模塊進(jìn)行初步的選擇，對(duì)10KV級(jí)聯(lián)式SVG的模塊的選型可以參考下表，
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SVG容量
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IGBT型號(hào)
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SVG容量
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IGBT型號(hào)
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1MW/10KV
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BSM100GB170DLC
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9MW/10KV
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FF800R17KE3
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2MW/10KV
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FF200R17KE3
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10MW/10KV
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FF1000R17IE4
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3MW/10KV
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FF300R17KE3
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11MW/10KV
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FF1000R17IE4
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4MW/10KV
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FF450R17ME4
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12MW/10KV
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FF1000R17IE4
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5MW/10KV
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FF600R17ME4
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13MW/10KV
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FF1400R17IP4
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6MW/10KV
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FF650R17IE4
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14MW/10KV
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FF1400R17IP4
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7MW/10KV
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FF650R17IE4
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15MW/10KV
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FF1400R17IP4
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8MW/10KV
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FF800R17KE3
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