THB6064AH(峰值電流4.5A)
詳細(xì)參數(shù):
THB6064H 大功率、高細(xì)分兩相混合式步進(jìn)電機(jī)芯片式驅(qū)動(dòng)器
THB6064H是大功率、高細(xì)分兩相混合式步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片，外圍電路簡(jiǎn)單、工作可靠、使用方便。
一、特性
● 雙全橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)，低導(dǎo)通電阻 Ron = 0.4 Ω（上橋+下橋）
● 高耐壓 50VDC，大電流 4.5A（峰值）
● 多細(xì)分可選（1/2，1/8，1/10，1/16，1/20，1/32，1/40，1/64）
● 自動(dòng)半流鎖定
● 衰減方式連續(xù)可調(diào)
● 內(nèi)置溫度保護(hù)及過(guò)流保護(hù)
二、框圖
三、管腳說(shuō)明
四、電器參數(shù)
最高額定值 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
正常運(yùn)行參數(shù)范圍 Operating Range (Ta = -30 to 85°C)
電器特性 Electrical Characteristics (Ta = 25°C, VDD = 5 V, VM = 24 V )
輸出參數(shù) Output Block
五、使用說(shuō)明
1．M1、M2、M3可選擇八種不同細(xì)分狀態(tài)
2．PFD：為衰減方式控制端，調(diào)節(jié)此端電壓可以選擇不同的衰減方式，從而獲得更好的驅(qū)動(dòng)效果：
3．Vref：電流設(shè)定端，調(diào)整此端電壓即可設(shè)定驅(qū)動(dòng)電流值
Io（100%）=Vref *（1/3）*（1/Rs）
Vref取值范圍：0.5V—3.0V
【Rs為檢測(cè)電阻】 推薦值為0.25Ω/2W
4．Down：半流鎖定控制，電機(jī)鎖定時(shí)降低功耗的功能（參見(jiàn)原理圖）
當(dāng)CLK小于1.5Hz時(shí)，DOWN輸出為0；
當(dāng)CLK大于1.5Hz時(shí)，DOWN輸出為1；
DOWN常態(tài)為1此時(shí)Vref電壓由R1和R2分壓決定形成設(shè)定電流，當(dāng)啟動(dòng)半流鎖定功能時(shí)，DOWN=0，Rdown參與R1、R2分壓，從而降低了Vref,也就減小了設(shè)定電流，Rdown的阻值決定電流下降的幅度。從而降低了VREF，也就減少了設(shè)定電流R1的阻值決定電流下降的幅度。
即：改變鎖定電阻Rdown的阻值，可獲得不同的鎖定電流值。
5．ALERT ：過(guò)流及過(guò)溫保護(hù)輸出端
正常狀態(tài)下，ALERT=1；
當(dāng)有過(guò)流或過(guò)溫現(xiàn)象時(shí)，此端輸出為0
6. CLK：脈沖輸入端（參見(jiàn)表一）
-0.2V—VDD方波，脈沖頻率最高100KHz，脈沖寬度最小4μS
7. CW/CCW：電機(jī)正反轉(zhuǎn)控制端（參見(jiàn)表一）
CW/CCW為0時(shí)，電機(jī)正轉(zhuǎn)
CW/CCW為1時(shí)，電機(jī)反轉(zhuǎn)
8. RESTER：上電復(fù)位端（參見(jiàn)表一）
為1時(shí)，芯片工作
9. ENABLE：使能端（參見(jiàn)表一）
為0時(shí)，芯片輸出為0
六、參考電路圖
封裝尺寸 Package Dimensions
重量：9.86 g
