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書接上回，昨天小揚(yáng)給大家整理了晶振圈里的名詞解釋，今天分享下半部分，瞧仔細(xì)咯~~
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10、等效電阻
等效電阻（ESR，Rr，R1），又稱諧振電阻。在規(guī)定條件下，石英晶體諧振器不串聯(lián)負(fù)載電容在諧振頻率時(shí)的電阻。
11、激勵(lì)功率電平
晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值，AT切晶體激勵(lì)電平的增大，其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過(guò)高會(huì)引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩，嚴(yán)重?zé)犷l漂，過(guò)應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過(guò)低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。
12、激勵(lì)電平相關(guān)性
又稱激勵(lì)電平依賴性，為晶體元件諧振電阻隨激勵(lì)電平條件變化的效應(yīng)。當(dāng)加在晶體元件上的激勵(lì)電平改變時(shí)，其諧振電阻也隨之變化，該變化在一般情況下有一定規(guī)律，可用兩個(gè)激勵(lì)電平所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)電阻之比表示，其表達(dá)式為：DLD＝Rr1/Rr2（Rr1－為較低激勵(lì)電平時(shí)的電阻，Rr2－為較高激勵(lì)電平時(shí)的電阻）。
13、絕緣電阻
指晶振的各個(gè)引腳之間，或者引腳與外殼之間的電阻值。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，它反映了晶振內(nèi)部絕緣性能的好壞。絕緣電阻越大，說(shuō)明晶振的絕緣性能越好，漏電流越小，能夠有效防止信號(hào)干擾和電氣短路。
14、基頻
晶振在最低階振動(dòng)模式下產(chǎn)生的頻率，也就是它的“主振動(dòng)頻率”。
基頻是晶振最基礎(chǔ)、最主要的振動(dòng)頻率，其他振動(dòng)模式（如泛音）都是基于基頻的倍數(shù)或衍生。基頻決定了晶振的核心工作頻率。
15、泛音
泛音是晶振機(jī)械振動(dòng)中產(chǎn)生的高階諧波頻率。接近基頻整數(shù)倍（如3倍、5倍、7倍、9倍）等，但并不完全相等。
例如，3次泛音的頻率接近基頻的3倍，但會(huì)略低一些。泛音的存在使得晶振能夠在更高的頻率下工作。
16、等效電路
石英晶體諧振器的振動(dòng)實(shí)質(zhì)上是一種機(jī)械振動(dòng)，可以被一個(gè)具有電子轉(zhuǎn)換性能的兩端網(wǎng)絡(luò)測(cè)出。這個(gè)回路包括L1、C1，同時(shí)C0作為一個(gè)石英晶體的絕緣體的電容被并入回路，與彈性振動(dòng)有關(guān)的阻抗R1是在諧振頻率時(shí)石英晶體諧振器的諧振阻抗。
17、負(fù)性阻抗
負(fù)性阻抗是指從石英晶振的兩個(gè)引腳向振蕩電路看過(guò)去時(shí)，電路在振蕩頻率下的阻抗特性。它不是晶振本身的參數(shù)，而是振蕩電路的重要特性。為了提高電路的起振能力，需要增大電路中的負(fù)性阻抗。如果負(fù)性阻抗不足，電路可能難以起振。通常，負(fù)性阻抗的值應(yīng)達(dá)到晶振諧振阻抗的5-10倍，以確保電路穩(wěn)定工作。
18、年老化率
以年為衡量單位，在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。頻率變化最大是在晶體頻率組件生產(chǎn)完后的第一個(gè)月，之后頻率隨時(shí)間的變化就會(huì)減少。導(dǎo)致此老化的原因很多，如：密封特性和完整性、制造工藝、材料類型、工作溫度和頻率。
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