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三極管檢測試分析
陜西天士立科技有限公司
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三極管檢測試分析  低價優(yōu)惠  華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機構

三極管檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA:“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機構。具有CNASCMA認證資質,擁有多個設備一流、水平先進、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測實驗單位”,對外提供檢測測試和驗證等服務。

三極管檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA華則檢測主要業(yè)務包含功率器件參數檢測、半導體可靠性檢測、半導體環(huán)境老化試驗分析、應用級系統分析、半導體失效分析、車用分立器件可靠性測試認證、車用功率模塊可靠性測試認證、力學實驗、氣候環(huán)境實驗等領域,

三極管檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA三極管檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

                                                                               

服務目錄

三極管檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

一、失效分析測試·三極管檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目:開短路檢測 4

(2) 檢測項目:漏電檢測 4

(3) 檢測項目:產品外觀或形貌確認 4

(4) 檢測項目:尺寸測量 4

(5) 檢測項目:超聲波檢測(SAT) 4

(6) 檢測項目:X-ray檢測 5

(7) 檢測項目:推拉力檢測 5

(8) 檢測項目:有害物質檢測 5

(9) 檢測項目:剖面分析 5

(10) 檢測項目:樣品開封 5

二、電學檢測 ·三極管檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目:直流參數 6

(2) 檢測項目:雪崩能量 6

(3) 檢測項目∶柵極電阻 6

(4) 檢測項目:開關時間(器件級) 6

(5) 檢測項目:開關時間(模塊級) 6

(6) 檢測項目:反向恢復(模塊級) 6

(7) 檢測項目:反向恢復(器件級) 6

(8) 檢測項目:柵極電荷(模塊級) 7

(9) 檢測項目:柵極電荷(器件級) 7

(10) 檢測項目:短路耐量能力(模塊級) 7

(11) 檢測項目:短路耐量能力(器件級) 7

(12) 檢測項目:結電容 7

(13) 檢測項目:熱阻性能(器件級) 7

(14) 檢測項目:熱阻性能(模塊級) 7

(15) 檢測項目:參數曲線掃描 8

(16) 檢測項目:ESD能力 8

(17) 檢測項目:正向浪涌能力 8

三、應用系統檢測 ·三極管檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目:電氣參數 9

(2) 檢測項目:保護功能測試 9

(3) 檢測項目:元器件應力測試 9

(4) 檢測項目:電氣/抗電強度測試 9

(5) 檢測項目:絕緣電阻測試 10

(6) 檢測項目:接地電阻測試 10

(7) 檢測項目:低溫測試 10

(8) 檢測項目:高溫測試 10

(9) 檢測項目:高加速壽命/應力測試 10

(10) 檢測項目:靜電放電抗擾度測試 10

(11) 檢測項目:雷擊浪涌抗擾度測試 10

(12) 檢測項目:電源端子騷擾電壓/傳導測試 11

四、可靠性測試 ·三極管檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目:功率循環(huán)齷 (PC) 12

(2) 檢測項目:高溫門極試驗(HTGB) 12

(3) 檢測項目:低溫工作壽命試驗(LTOL) 12

(4) 檢測項目:低溫儲存試驗(LTSL) 12

(5) 檢測項目:高低溫循環(huán)試驗(TC) 12

(6) 檢測項目:穩(wěn)態(tài)功率試驗(SSOL) 12

(7) 檢測項目:無偏壓的高加速應力試驗(UHAST) 13

(8) 檢測項目:預處理試驗(Pre-con) 13

(9) 檢測項目:高溫反偏試驗(HTRB) 13

(10) 檢測項目:高溫工作壽命試驗(HTOL) 13

(11) 檢測項目:高溫儲存試驗(HTSL) 13

(12) 檢測項目:高溫高濕試驗(THB) 13

(13) 檢測項目:間歇壽命試驗(IOL)功率循試驗(PC) 13

(14) 檢測項目:高加速應力試驗(HAST) 14

(15) 檢測項目:高溫蒸煮試驗(PCT) 14

(16) 檢測項目:潮氣敏感度等級試驗(MSL) 14

(17) 檢測項目:可焊性試驗(Solderability) 14

一、失效分析測試·三極管檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

  1. 檢測項目:開短路檢測
  • 覆蓋產品:IC
  • 檢測能力:滿足128pin及以下引腳ICopen/short測試、曲線跟蹤分析、漏電流測試;最大電壓7V,電壓精度1mV,最大電流 500mA,電礪度 10nA;
  • 執(zhí)行標準:客戶要求
  1. 檢測項目:漏電檢測
  • 覆蓋產品:IC,分立器件,模塊等產品
  • 檢測能力:具有EMMI (微光)TIVA (激光誘導)兩種偵測方 式;加電方式A:電壓20mV-200V,電流10nA-1A,電流精度 10fA;加電方式B:最大電壓3000V,最大電流5A。
  • 執(zhí)行標準:客戶要求
  1. 檢測項目:產品外觀或形貌確認
  • 覆蓋產品:IC,分立器件,模塊等產品
  • 檢測能力:立體成像/最大45倍;金相成像/最大1000倍;數碼成像/最大6000倍;
  • 執(zhí)行標準:客戶要求
  1. 檢測項目:尺寸測量
  • 覆蓋產品:IC,分立器件,模塊等產品
  • 檢測能力:立體成像/最大45倍;金相成像/最大1000倍;數碼成像/最大6000倍;
  • 執(zhí)行標準:客戶要求
  1. 檢測項目:超聲波檢測(SAT)
  • 覆蓋產品IC,分立器件,模塊等產品
  • 檢測能力∶具有分層面積百分比計算,缺陷尺寸標識,厚度與距離測量等功能。可進行A-scan(點掃描)、B-scan(縱向掃描)、 C-scan(橫向掃描)、Through-scan(透射掃描)。
  • 執(zhí)行標準∶國軍標
  1. 檢測項目:X-ray檢測
  • 覆蓋產品:IC,分立器件,模塊等產品
  • 檢測能力:最高分辨率0.5um。具有空洞面積百分比計算,缺陷尺寸標識,厚度與距離測量等功能?蛇M行二維掃描、三維CT掃描。
  • 執(zhí)行標準:國軍標
  1. 檢測項目:推拉力檢測
  • 覆蓋產品IC,分立器件,模塊等產品
  • 檢測能力∶支持WP100WP2.5KG二款拉力測試頭,測試范圍0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KGDS100KG三款推力測試頭,測試范圍0-100Kg,推刀接受面寬0-8891um。
  • 執(zhí)行標準∶ 國軍標
  1. 檢測項目:有害物質檢測
  • 覆蓋產品IC,分立器件,模塊等產品
  • 檢測能力∶ 支持鉛(Pb)、鎘(Cd)、汞(Hg)、六價鉻(Cr6+)、多溴聯苯(PBB)和多溴二苯醚(PBDE),以及鹵素等其他化學元素的檢測。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/Br最低檢測限可達2ppm。
  • 執(zhí)行標準IEC
  1. 檢測項目:剖面分析
  • 覆蓋產品:IC,分立器件,模塊等產品
  • 檢測能力:金相樣品制備、樣品觀察、樣品染色。
  • 執(zhí)行標準:客戶要求
  1. 檢測項目:樣品開封
  • 覆蓋產品:IC,分立器件,模塊等產品
  • 檢測能力:激光開封、化學開封、樣品剝層。
  • 執(zhí)行標準:客戶要求

二、電學檢測·三極管檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

  1. 檢測項目:直流參數
  • 覆蓋產品:MOSFETIGBT、DIODE等模塊產品;
  • 檢測能力:檢測最大電壓7500V檢測最大電流6000A
  • 執(zhí)行標準:國標,IEC
  1. 檢測項目:雪崩能量
  • 覆蓋產品:MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半導體器件等單管器件
  • 檢測能力:檢測最大電壓2500V檢測最大電流200A
  • 執(zhí)行標準:美軍標
  1. 檢測項目∶柵極電阻
  • 覆蓋產品MOSFETIGBT及第三代半導體器件
  • 檢測能力∶檢測阻抗∶0.1Ω~50Ω
  • 執(zhí)行標準JEDEC
  1. 檢測項目:開關時間(器件級)
  • 覆蓋產品:MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體單管器件;
  • 檢測能力:最大電壓1200V 最大電流200A
  • 執(zhí)行標準:美軍標,國標,IEC
  1. 檢測項目:開關時間(模塊級)
  • 覆蓋產品:IGBT等模塊產品
  • 檢測能力:檢測最大電壓2700V檢測最大電流4000A
  • 執(zhí)行標準:國標,IEC
  1. 檢測項目:反向恢復(模塊級)
  • 覆蓋產品:IGBT等模塊產品
  • 檢測能力:檢測最大電壓2700V檢測最大電流4000A
  • 執(zhí)行標準:國標,IEC
  1. 檢測項目:反向恢復(器件級)
  • 覆蓋產品:MOSFETIGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件
  • 檢測能力:最大電壓1200V 最大電流200A
  • 執(zhí)行標準:美軍標,國標,IEC
  1. 檢測項目:柵極電荷(模塊級)
  • 覆蓋產品:IGBT等模塊產品
  • 檢測能力:檢測最大電壓2700V檢測最大電流4000A
  • 執(zhí)行標準:國標,IEC
  1. 檢測項目:柵極電荷(器件級)
  • 覆蓋產品:MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件
  • 檢測能力:最大電壓1200V 最大電流200A
  • 執(zhí)行標準:美軍標,國標,IEC
  1. 檢測項目:短路耐量能力(模塊級)
  • 覆蓋產品:IGBT等模塊產品
  • 檢測能力:檢測最大電壓2700V,檢測最大電流10000A
  • 執(zhí)行標準:國標,IEC
  1. 檢測項目:短路耐量能力(器件級)
  • 覆蓋產品:MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件
  • 檢測能力:檢測最大電壓1200V,檢測最大電流1000A
  • 執(zhí)行標準:美軍標,國標,IEC
  1. 檢測項目:結電容
  • 覆蓋產品:MOSFET、IGBT及第三代半導體單管器件
  • 檢測能力:檢測最大電壓3000V
  • 執(zhí)行標準:IEC
  1. 檢測項目:熱阻性能(器件級)
  • 覆蓋產品:MOSFETIGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導體單管器件
  • 檢測能力:功率250W
  • 執(zhí)行標準:美軍標,JEDEC
  1. 檢測項目:熱阻性能(模塊級)
  • 覆蓋產品:IGBT等模塊產品
  • 檢測能力:最大功率4000W
  • 執(zhí)行標準:美軍標,JEDEC
  1. 檢測項目:參數曲線掃描
  • 覆蓋產品:MOSFETIGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導體器件等單管器件的l-VC-V曲線
  • 檢測能力:檢測最大電壓3000V檢測最大電流1500A溫度-70°C~180°C
  • 執(zhí)行標準:美軍標,IEC
  1. 檢測項目:ESD能力
  • 覆蓋產品:MOSFET、IGBT、IC等產品
  • 檢測能力:HBM最大電壓8000V;MM最大電壓800V
  • 執(zhí)行標準:美軍標,ANSI,JEDEC
  1. 檢測項目:正向浪涌能力
  • 覆蓋產品:DIODE (Si/SiC)、整流橋;
  • 檢測能力:最大電流800A
  • 執(zhí)行標準:美軍標,國標

三、應用系統檢測·三極管檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

  1. 檢測項目:電氣參數
  • 覆蓋產品:開關電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。
  • 檢測能力:低壓AC/DC電源:單相最大輸入電壓/功率為 300V/3KVA;最大輸出電壓/功率:80V/1000W;低壓DC/DC電 源:最大輸入電壓/功率為80V/1.2KW;最大輸出電壓/功率: 80V/1000W;直流充電樁電源模塊:三相最大輸入電壓/功率為 500V/30KVA;最大輸出電壓/功率:700V/30KW;電機控制板: 直流輸入電壓/功率100V/5KW
  • 執(zhí)行標準:國標,IEC,客戶要求等
  1. 檢測項目:保護功能測試
  • 覆蓋產品:開關電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。
  • 檢測能力:低壓AC/DC電源:單相最大輸入電壓/功率為 300V/3KVA;最大輸出電壓/功率:80V/1000W;低壓DC/DC電 源:最大輸入電壓/功率為80V/1.2KW;最大輸出電壓/功率: 80V/1000W;直流充電樁電源模塊:三相最大輸入電壓/功率為 500V/30KVA;最大輸出電壓/功率:700V/30KW;電機控制板: 直流輸入電壓/功率100V/5KW
  • 執(zhí)行標準:國標,IEC,客戶要求等
  1. 檢測項目:元器件應力測試
  • 覆蓋產品:開關電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機控制板、鋰電保護板。
  • 檢測能力:最大峰值電壓:1.5KV;最大有效值/峰值電流:30A/50A;最高溫度:260°C
  • 執(zhí)行標準:元器件規(guī)格,客戶要求等
  1. 檢測項目:電氣/抗電強度測試
  • 覆蓋產品:電子電氣產品
  • 檢測能力:交流耐壓范圍:(0~5)KV/40mA;直流耐壓范圍:(0~6)KV/9999uA
  • 執(zhí)行標準:國標,IEC,客戶要求等
  1. 檢測項目:絕緣電阻測試
  • 覆蓋產品:電子電氣產品
  • 檢測能力:(100~1K)Vdc/9999mΩ
  • 執(zhí)行標準:國標,IEC,客戶要求等
  1. 檢測項目:接地電阻測試
  • 覆蓋產品:電子電氣產品
  • 檢測能力:30A/600mΩ
  • 執(zhí)行標準:國標,IEC,客戶要求等
  1. 檢測項目:低溫測試
  • 覆蓋產品:電子電氣產品
  • 檢測能力:最低溫度:-70
  • 執(zhí)行標準:國標,IEC,客戶要求等
  1. 檢測項目:高溫測試
  • 覆蓋產品:電子電氣產品
  • 檢測能力:最高溫度:~180
  • 執(zhí)行標準:國標,IEC,客戶要求等
  1. 檢測項目:高加速壽命/應力測試
  • 覆蓋產品∶電子電氣產品
  • 檢測能力∶溫度范圍∶(-100+200)℃℃;溫度上升速率∶平均(70°~100°)C/m; 加速∶(5-60gRMS (空臺)
  • 執(zhí)行標準∶國標,IEC,客戶要求等
  1. 檢測項目:靜電放電抗擾度測試
  • 覆蓋產品∶電子電氣產品
  • 檢測能力∶接觸靜電放電電壓范圍∶(±2~±8KV空氣靜電放電電壓范圍∶(±2~±25KV
  • 執(zhí)行標準∶國標,IEC,客戶要求等
  1. 檢測項目:雷擊浪涌抗擾度測試
  • 覆蓋產品∶電子電氣產品
  • 檢測能力1.2/50us綜合波的開路電壓范圍∶(0.2510KV; 10/700us通訊波的開路電壓范圍∶(06KV;輸出阻抗∶ 1.2/50us綜合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通訊波15Ω和40Ω
  • 執(zhí)行標準∶國標,IEC,客戶要求等;
  1. 檢測項目:電源端子騷擾電壓/傳導測試
  • 覆蓋產品:電子電氣產品
  • 檢測能力:9KHz~ 30MHz
  • 執(zhí)行標準:國標,IEC,客戶要求等

四、可靠性測試·三極管檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

  1. 檢測項目:功率循環(huán)齷 (PC)
  • 覆蓋產品IGBT模塊
  • 檢測能力∶△Tj=100℃電壓電流最大1800A,12V
  • 執(zhí)行標準IEC 客戶自定義
  1. 檢測項目:高溫門極試驗(HTGB)
  • 覆蓋產品MOSFET、SiC MOS等單管器件
  • 檢測能力∶溫度最高150;電壓最高2000V
  • 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDECIEC,AEC,客戶自定義等
  1. 檢測項目:低溫工作壽命試驗(LTOL)
  • 覆蓋產品MOSFET、IGBTDIODE、BJTSCR、IC、第三代半導體器件等單管器件
  • 檢測能力∶溫度最低-80℃ 電壓最高2000V
  • 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IECAEC,客戶自定義等
  1. 檢測項目:低溫儲存試驗(LTSL)
  • 覆蓋產品MOSFETIGBT、DIODEBJT、SCRIC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品
  • 檢測能力∶溫度最低-80
  • 執(zhí)行標準∶ 美軍標,國標,JEDECIEC,AEC,客戶自定義等
  1. 檢測項目:高低溫循環(huán)試驗(TC)
  • 覆蓋產品MOSFETIGBT、IDIODE、BJTSCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品
  • 檢測能力∶溫度范圍∶-80~220
  • 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDECIEC,AEC,客戶自定義等
  1. 檢測項目:穩(wěn)態(tài)功率試驗(SSOL)
  • 覆蓋產品MOSFET、DIODEBJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件
  • 檢測能力∶△Tj100℃,電壓電流最大48V10A
  • 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
  1. 檢測項目:無偏壓的高加速應力試驗(UHAST)
  • 覆蓋產品MOSFET、DIODEBJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品
  • 檢測能力∶溫度130℃ 濕度85%
  • 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDECIEC,AEC,客戶自定義等
  1. 檢測項目:預處理試驗(Pre-con)
  • 覆蓋產品∶所有SMD類型器件
  • 檢測能力∶設備滿足各個等級的試驗要求
  • 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDECIEC,AEC,客戶自定義等
  1. 檢測項目:高溫反偏試驗(HTRB)
  • 覆蓋產品MOSFETIGBT、DIODEBJT、SCR,第三代半導體器件等單管器件
  • 檢測能力∶溫度最高150; 電壓最高2000V
  • 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IECAEC,客戶自定義等
  1. 檢測項目:高溫工作壽命試驗(HTOL)
  • 覆蓋產品MOSFETIGBT、DIODE、BJT、SCRIC、第三代半導體器件等單管器件
  • 檢測能力∶溫度最高150℃,電壓最高2000V
  • 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDECIEC,AEC,客戶自定義等
  1. 檢測項目:高溫儲存試驗(HTSL)
  • 覆蓋產品MOSFET、IGBTDIODE、BJTSCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品
  • 檢測能力∶溫度最高150;
  • 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
  1. 檢測項目:高溫高濕試驗(THB)
  • 覆蓋產品MOSFETIGBT、DIODEBJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品
  • 檢測能力∶溫度最高180℃ 濕度范圍∶10%~98%
  • 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDECIEC,AEC,客戶自定義等
  1. 檢測項目:間歇壽命試驗(IOL)功率循試驗(PC)
  • 覆蓋產品MOSFET、DIODEBJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件
  • 檢測能力∶△Tj100℃ 電壓電流最大48V,10A
  • 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDECIEC,AEC,客戶自定義等
  1. 檢測項目:高加速應力試驗(HAST)
  • 覆蓋產品MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品
  • 檢測能力∶ 溫度130/110℃ 濕度85%
  • 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IECAEC,客戶自定義等
  1. 檢測項目:高溫蒸煮試驗(PCT)
  • 覆蓋產品MOSFET、DIODE、BJTIGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品
  • 檢測能力∶溫度121℃ 濕度100%
  • 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IECAEC,客戶自定義等
  1. 檢測項目:潮氣敏感度等級試驗(MSL)
  • 覆蓋產品∶所有SMD類型器件
  • 檢測能力∶設備滿足各個等級的試驗要求
  • 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDECIEC,AEC,客戶自定義等
  1. 檢測項目:可焊性試驗(Solderability)
  • 覆蓋產品MOSFET、IGBTDIODE、BJT、SCRIC、第三代半導體器件等單管器件
  • 檢測能力∶有鉛、無鉛均可進行
    執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

五、其它測試·三極管檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

三極管檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA:“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機構。具有CNASCMA認證資質,擁有多個設備一流、水平先進、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測實驗單位”,對外提供檢測測試和驗證等服務。

三極管檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA華則檢測主要業(yè)務包含功率器件參數檢測、半導體可靠性檢測、半導體環(huán)境老化試驗分析、應用級系統分析、半導體失效分析、車用分立器件可靠性測試認證、車用功率模塊可靠性測試認證、力學實驗、氣候環(huán)境實驗等領域,


 

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公司名稱: 陜西天士立科技有限公司
聯 系 人: 王偉
電  話: 029-88225591
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