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BKTEM-B2薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)
關鍵詞：薄膜熱電，賽貝克系數(shù)，Seebeck，四線法
為解決日益緊迫的能源危機，太陽能、風能、核能等多種新能源不斷被開發(fā)利用。新能源的使
用需要優(yōu)質的節(jié)能材料。
利用熱電材料制成的制冷和發(fā)電系統(tǒng)，具有體積小、重量輕、無任何機械噪音、不造成任何環(huán)
境污染等眾多優(yōu)點。因此對熱電材料的研究非常重要。為了進一步提高熱電材料的轉化效率（熱電
優(yōu)值），對其研究從塊體慢慢轉移到薄膜材料。
技術原理
動態(tài)法：測量 Seebeck 系數(shù)
在待測溫場下給樣品兩端加一個連續(xù)變化的微小溫差，通過記錄樣品兩端溫差和熱電勢的變化，
然后將溫差和熱電勢擬合成一條直線，直線斜率即為該材料在該溫場下的 Seebeck 系數(shù)。
采用四線法測量電阻率。 硬件特點
? 專門針對薄膜材料的 Seebeck 系數(shù)和電阻率測量。
? 采用動態(tài)法測量 Seebeck 系數(shù),避免了靜態(tài)測量在溫差測量上的系統(tǒng)誤差,測量更準確。
? 采用四線法測量電阻率，測量更加穩(wěn)定可靠。
薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)
技術原理
動態(tài)法：測量 Seebeck 系數(shù)
在待測溫場下給樣品兩端加一個連續(xù)變化的微小溫差，通過記錄樣品兩端溫差和熱電勢的變化，
然后將溫差和熱電勢擬合成一條直線，直線斜率即為該材料在該溫場下的 Seebeck 系數(shù)。
采用四線法測量電阻率。 硬件特點
專門針對薄膜材料的 Seebeck 系數(shù)和電阻率測量。
采用動態(tài)法測量 Seebeck 系數(shù),避免了靜態(tài)測量在溫差測量上的系統(tǒng)誤差,測量更準確。
?采用四線法測量電阻率，測量更加穩(wěn)定可靠。
1. 實現(xiàn)功能：在室溫溫場下可同步測量Seebeck系數(shù)和電阻率；
2. 電勢測量：采集系統(tǒng)采用商業(yè)高分辨數(shù)字萬用表；
3. 溫差測量：溫差精度控制：+/-0.1K，控溫速率：0.02–50K/min；溫差控制：0-80K ；
4. Seebeck系數(shù)和電阻測量方法：Seebeck系數(shù)-靜態(tài)直流法, 多溫差法，電阻率-四端法；
5. Seebeck系數(shù)測量范圍和分辨率：1μV/K-25V/K；測量分辨率：10nV/K；
6. 電阻率測量范圍和分辨率：0.2μOhmm-2.5Ohmm；測量分辨率：10nOhmm；
7. 測量精度：Seebeck 系數(shù) : +/- 7%，電阻率 : +/- 10%；
8. 樣品尺寸：直徑或正方形 6-12mm，長度6-22mm，正反面電極均可；
9. 探頭測試間距：6, 8 mm，任選一種；
10. 外接電源：單相220V ，50Hz；
11. 軟件：圖形化界面， windows 菜單，數(shù)據(jù)采集；加熱恒溫降溫溫度程序化設計；易于操作的菜單設計，測量結果可以txt，EXC
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