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本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
穩(wěn)定電流源(BJT)
目標(biāo)
本實(shí)驗(yàn)旨在研究如何利用零增益概念來(lái)產(chǎn)生穩(wěn)定（對(duì)輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。
材料
- ADALM2000主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊
- 無(wú)焊面包板
- 一個(gè)2.2 kΩ電阻（或其他類(lèi)似值）
- 一個(gè)100 Ω電阻
- 一個(gè)4.7 kΩ電阻
- 兩個(gè)小信號(hào)NPN晶體管（2N3904或SSM2212）
說(shuō)明
BJT穩(wěn)定電流源對(duì)應(yīng)的電路如圖1所示。
圖1.穩(wěn)定電流源
硬件設(shè)置
面包板連接如圖2所示。W1的輸出驅(qū)動(dòng)電阻R1的一端。電阻R1和R2以及晶體管Q1按照2020年11月StudentZone文章所示進(jìn)行連接。由于Q2的VBE始終小于Q1的VBE，因此可能的話，從器件庫(kù)存中選擇Q1和Q2滿(mǎn)足條件——在相同集電極電流下，Q2的VBE小于Q1的VBE。晶體管Q2的基極連接到Q1集電極的零增益輸出。R3連接在Vp電源和Q2的集電極之間，與2+示波器輸入一起用來(lái)測(cè)量集電極電流。
圖2.NMOS零增益放大器面包板電路
程序步驟
零增益放大器可用于創(chuàng)建穩(wěn)定的電流源�，F(xiàn)在，當(dāng)W1所表示的輸入電源電壓變化時(shí)，晶體管Q1的集電極所看到的電壓更為穩(wěn)定，因此可以將其用作Q2的基極電壓，以在晶體管Q2中產(chǎn)生更穩(wěn)定的電流。
波形發(fā)生器配置為1 kHz三角波，峰峰值幅度為3 V，偏置為1.5 V。示波器通道2的輸入(2+)用于測(cè)量Q2集電極上的穩(wěn)定輸出電流。
配置示波器以捕獲所測(cè)量的兩個(gè)信號(hào)的多個(gè)周期。確保啟用XY功能。
使用示波器的波形圖示例如圖3和圖4所示。
圖3.Q2集電極電壓與W1電壓的關(guān)系
圖4.Q2集電極電流與W1電壓關(guān)系的示波器圖
穩(wěn)定電流源(NMOS)
材料
- ADALM2000主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊
- 無(wú)焊面包板
- 一個(gè)2.2 kΩ電阻（或其他類(lèi)似值）
- 一個(gè)168 Ω電阻（將100 Ω和68 Ω電阻串聯(lián)）
- 一個(gè)4.7 kΩ電阻
- 兩個(gè)小信號(hào)NMOS晶體管（CD4007或ZVN2110A）
說(shuō)明
MOS穩(wěn)定電流源對(duì)應(yīng)的電路如圖5所示。
圖5.穩(wěn)定電流源
圖6.穩(wěn)定電流源面包板電路
硬件設(shè)置
面包板連接如圖6所示。波形發(fā)生器W1的輸出驅(qū)動(dòng)電阻R1的一端。電阻R1和R2以及晶體管M1按照2020年11月StudentZone文章所示進(jìn)行連接。由于M2的VGS始終小于M1的VGS，因此可能的話，從器件庫(kù)存中選擇M1和M2滿(mǎn)足——在相同漏極電流下，M2的VGS小于M1的VGS。晶體管M2的柵極連接到M1漏極的零增益輸出。R3連接在Vp電源和M2的漏極之間，與2+示波器輸入一起用來(lái)測(cè)量漏極電流。
程序步驟
波形發(fā)生器配置為1 kHz三角波，峰峰值幅度為4 V，偏置為2 V。示波器通道2的輸入(2+)用于測(cè)量M2漏極上的穩(wěn)定輸出電流。
配置示波器以捕獲測(cè)量的兩個(gè)信號(hào)的多個(gè)周期。確保啟用XY功能。
圖7提供了示波器顯示的圖像示例。
圖7.M2漏極電壓與W1電壓的關(guān)系
關(guān)于BJT和NMOS的問(wèn)題
- 此類(lèi)電路有時(shí)稱(chēng)為峰化電流源。您認(rèn)為為什么會(huì)使用此命名規(guī)則？
- 輸出電流的峰值很窄。如何調(diào)整電路以產(chǎn)生更寬、更平坦的峰值？
您可以在學(xué)子專(zhuān)區(qū)博客上找到問(wèn)題答案。
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