ADI 的新款高功率硅開(kāi)關(guān)更適合大規(guī)模 MIMO 設(shè)計(jì)。它們依靠單 5 V 電源供電運(yùn)行，偏置電流小于 1 mA，并且不需要外部組件或接口電路。圖 4 中示出了內(nèi)部電路架構(gòu)�；� FET 的電路可采用低偏置電流和低電源電壓工作，因而將功耗拉低至可忽略的水平，并可在系統(tǒng)級(jí)上幫助熱管理。除了易用性之外，該器件架構(gòu)還可提供更好的隔離性能，因?yàn)樵?RF 信號(hào)路徑上納入了更多的并聯(lián)支路。
ADI 的高功率硅開(kāi)關(guān)能夠處理高達(dá) 80 W 的 RF 峰值功率，這足以滿足大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)的峰值平均功率比要求，并留有裕量。表 1 列出了 ADI 專為不同的功率級(jí)別和各種封裝類型而優(yōu)化的高功率硅開(kāi)關(guān)系列。這些器件繼承了硅技術(shù)的固有優(yōu)勢(shì)，而且與替代方案相比，可實(shí)現(xiàn)更好的 ESD 堅(jiān)固性和降低部件與部件間的差異。
表 1.ADI 新推出的高功率硅開(kāi)關(guān)系列
產(chǎn)品型號(hào)
頻率
插入損耗
隔離
平均功率
峰值功率
封裝
ADRF5130
0.7 GHz 至 3.5 GHz
0.6 dB，2.7 GHz
0.7 dB，3.8 GHz
45 dB，3.8 GHz
20 W
44 W
4 mm x 4 mm
ADRF5132
0.7 GHz to 5.0 GHz
0.60 dB，2.7 GHz
0.65 dB，3.8 GHz
0.90 dB，5.0 GHz
45 dB，3.8 GHz
45 dB，5.0 GHz
3.2 W
20 W，3.8 GHz
10 W，5.0 GHz
3 mm x 3 mm
ADRF5160
0.7 GHz to 4.0 GHz
0.8 dB，2.7 GHz
0.9 dB，3.8 GHz
48 dB，3.8 GHz
40 W
88 W
5 mm x 5 mm
大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)將繼續(xù)發(fā)展，并將需要進(jìn)一步提高集成度。ADI 的新型高功率硅開(kāi)關(guān)技術(shù)很適合多芯片模塊 (MCM) 設(shè)計(jì)，將LNA 一起集成，以提供面向 TDD 接收器前端的完整、單芯片解決方案。另外，ADI 還將調(diào)高新設(shè)計(jì)的頻率，并將引領(lǐng)針對(duì)毫米波 5G 系統(tǒng)的相似解決方案。隨著ADI 將其高功率硅開(kāi)關(guān)產(chǎn)品系列擴(kuò)展到了 X 波段頻率和更高的常用頻段，電路設(shè)計(jì)人員和系統(tǒng)架構(gòu)師還將在其他應(yīng)用 (例如相控陣系統(tǒng)) 中受益于 ADI 新型硅開(kāi)關(guān)。
