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萬用表如何判斷IGBT的好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的集電極（C），紅表筆接IGBT 的發(fā)射極（E），此時(shí)萬用表的指針指在無窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下發(fā)射極（S）和柵極（G），這時(shí)IGBT 被阻斷，萬用表的指針回到無窮處。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。
注意：若進(jìn)第二次測(cè)量時(shí)，應(yīng)短接一下發(fā)射極（E）和柵極（G）。
任何指針式萬用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）的好壞。
萬用表檢測(cè)IGBT管的C--E極：
1、紅表筆接C極黑表筆接E極（指帶有阻尼管的），應(yīng)該有正向?qū)娮柚怠?/p>
2、反向測(cè)量C--E不通（無窮大的電阻值）。
3、其它各管腳間應(yīng)該無窮大（不通）。
4、 IGBT管型號(hào)尾部帶D的是有阻尼管的。
IGBT管型號(hào)尾部不帶D的是無阻尼管的。
igbt管的好壞可用指針萬用表的rxlk擋來檢測(cè)，或用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測(cè)量pn結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將igbt管三只引腳短路放電，避免影響檢測(cè)的準(zhǔn)確度；然后用指針萬用表的兩枝表筆正反測(cè)g、e兩極及g、c兩極的電阻，對(duì)于正常的igbt管（正常g、c兩極與g、c兩極間的正反向電阻均為無窮大；內(nèi)含阻尼二極管的igbt管正常時(shí)，e、c極間均有4kw正向電阻），上述所測(cè)值均為無窮大；最后用指針萬用表的紅筆接c極，黑筆接e極，若所測(cè)值在3.5kwl左右，則所測(cè)管為含阻尼二極管的igbt管，若所測(cè)值在50kw左右，則所測(cè)igbt管內(nèi)不含阻尼二極管。對(duì)于數(shù)字萬用表，正常情況下，igbt管的c、c極問正向壓降約為0.5v。
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綜上所述，內(nèi)含阻尼二極管的igbt管檢測(cè)示意圖如圖所示，表筆連接除圖中所示外，
其他連接檢測(cè)的讀數(shù)均為無窮大。
如果測(cè)得igbt管三個(gè)引腳間電阻均很小，則說明該管已擊穿損壞；若測(cè)得igbt管三個(gè)引腳間電阻均為無窮大，說明該管已開路損壞。實(shí)際維修中igbt管多為擊穿損壞。為使保護(hù)正常輸出，不使用的保護(hù)必須拉為高電平（對(duì)腳1），或是通過電容接地（對(duì)腳8）。
如何檢測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管 廣州科沃—變頻器工控維修培訓(xùn)中心
判斷極性 ：
將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測(cè)量時(shí)，將黑表筆固定接在某一電極上，另一表筆（紅表筆）分別接其它兩只管腳，若阻值均為無窮大，對(duì)調(diào)用紅表筆固定接在這一電極（原黑表筆接的那只管腳）上，另一表筆（黑表筆）分別接其它兩只管腳，若阻值均為無窮大，則固定不動(dòng)的那只表筆接的那只管腳為柵極。其余兩極再用萬用表測(cè)量，若測(cè)得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為漏極（D）；黑表筆接的為源極（S）。
判斷好壞 ：
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極（D），紅表筆接IGBT 的源極（S），此時(shí)萬用表的指針指在無窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和漏極（D），這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下源極（S）和柵極（G），這時(shí)IGBT 被阻斷，萬用表的指針回到無窮處。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。
注意：若進(jìn)第二次測(cè)量時(shí)，應(yīng)短接一下源極（S）和柵極（G）。
任何指針式萬用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）的好壞。
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