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CMOS圖像傳感器的研究始于20世紀60年代末，受當時工藝技術(shù)的限制，發(fā)展和應(yīng)用有限。直到20世紀90年代初，隨著大規(guī)模集成電路設(shè)計技術(shù)和信號處理技術(shù)的提高，CMOS圖像傳感器才日益受到重視，成為固體圖像傳感器的研發(fā)熱點。近幾年來，隨著集成電路設(shè)計技術(shù)和工藝水平的長足進步，CMOS圖像傳感器的一些性能指標已接近甚至超過CCD圖像傳感器。
在當前市場中，我們可以發(fā)現(xiàn)高速圖像傳感器有三大發(fā)展趨勢，一是向極高速方向發(fā)展，二是向片上特性集成方向發(fā)展，三是向通用高速圖像傳感器方向發(fā)展。憑借這一趨勢，CMOS圖像傳感器迅速成為高速成像所青睞的技術(shù)。
CMOS圖像傳感器采用標準CMOS半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝，繼承了CMOS技術(shù)的優(yōu)點．如靜態(tài)功耗極低，動態(tài)功耗與工作頻率成比例。噪聲容限大，抗干擾能力很強，特別適用于噪聲環(huán)境惡劣條件下工作，工作速度較快，只需要單一電源上作等。以上比較不難看出CMOS圖像傳感器在未來將會有更大的發(fā)展空間。
同時，CMOS圖像傳感器相對于CCD的優(yōu)點使其得到迅速發(fā)展，在工業(yè)技術(shù)、民用視頻技術(shù)中得到廣泛應(yīng)用。盡管它還存在電離環(huán)境下暗電流稍大、高分辨率、高性能器件行待近一步發(fā)展等問題，但相信這些問題能夠得以解決，使其在空間技術(shù)的相應(yīng)領(lǐng)域中成為CCD的替代者。
目前國外諸多公司和科研機構(gòu)已經(jīng)開發(fā)出不同光學(xué)格式、多種類型的CMOS圖像傳感器，并將其應(yīng)用于工業(yè)、國防、交通、通訊、醫(yī)學(xué)及航空等不同領(lǐng)域。其中包括，蘇格蘭愛丁堡大學(xué)和瑞典Linkoping大學(xué)的研究人員分別進行了低成本的單芯片成像系統(tǒng)開發(fā)，美國噴氣推進實驗室研究開發(fā)了高性能成像系統(tǒng)，其目標是滿足NASA對高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的需要。他們在CMOS圖像傳感器研究方面取得了令人滿意的結(jié)果，并推動了CMOS圖像傳感器的快速發(fā)展。
為了在CMOS圖像傳感器技術(shù)領(lǐng)域占有一席之地，國內(nèi)的西安交通大學(xué)、華北工學(xué)院、中國科學(xué)院微電子研究中心等單位都開展了CMOS圖像傳感器的設(shè)計、研制和應(yīng)用開發(fā)等工作，并取得了較大的進展。但是相比較國外的研究情況來說仍處于初級研究階段，國內(nèi)更多的CMOS傳感器相機都是進口國外。
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