絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，因此，可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動簡單和快速的優(yōu)點，又具有雙極型器件容量大的優(yōu)點，因而，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用。
在中大功率的開關(guān)電源裝置中，IGBT由于其控制驅(qū)動電路簡單、工作頻率較高、容量較大的特點，已逐步取代晶閘管或GTO。但是在開關(guān)電源裝置中，由于它工作在高頻與高電壓、大電流的條件下，使得它容易損壞，另外，電源作為系統(tǒng)的前級，由于受電網(wǎng)波動、雷擊等原因的影響使得它所承受的應(yīng)力更大，故IGBT的可靠性直接關(guān)系到電源的可靠性。因而，在選擇IGBT時除了要作降額考慮外，對IGBT的保護設(shè)計也是電源設(shè)計時需要重點考慮的一個環(huán)節(jié)。
1IGBT的工作原理
IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。
由此可知，IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：
——IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓；
——IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓；
——流過IGBT集電極－發(fā)射極的電流；
——IGBT的結(jié)溫。
如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓，即驅(qū)動電壓過低，則IGBT不能穩(wěn)定正常地工作，如果過高超過柵極－發(fā)射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞；同樣，如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過集電極－發(fā)射極之間的耐壓，流過IGBT集電極－發(fā)射極的電流超過集電極－發(fā)射極允許的最大電流，IGBT的結(jié)溫超過其結(jié)溫的允許值，IGBT都可能會永久性損壞。
2保護措施
在進行電路設(shè)計時，應(yīng)針對影響IGBT可靠性的因素，有的放矢地采取相應(yīng)的保護措施。
2．1IGBT柵極的保護
IGBT的柵極－發(fā)射極驅(qū)動電壓VGE的保證值為±20V，如果在它的柵極與發(fā)射極之間加上超出保證值的電壓，則可能會損壞IGBT，因此，在IGBT的驅(qū)動電路中應(yīng)當設(shè)置柵壓限幅電路。另外，若IGBT的柵極與發(fā)射極間開路，而在其集電極與發(fā)射極之間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于柵極與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在，使得柵極電位升高，集電極－發(fā)射極有電流流過。這時若集電極和發(fā)射極間處于高壓狀態(tài)時，可能會使IGBT發(fā)熱甚至損壞。如果設(shè)備在運輸或振動過程中使得柵極回路斷開，在不被察覺的情況下給主電路加上電壓，則IGBT就可能會損壞。為防止此類情況發(fā)生，應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極間并接一只幾十kΩ的電阻，此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極。如圖2所示。
由于IGBT是功率MOSFET和PNP雙極晶體管的復(fù)合體，特別是其柵極為MOS結(jié)構(gòu)，因此除了上述應(yīng)有的保護之外，就像其他MOS結(jié)構(gòu)器件一樣，IGBT對于靜電壓也是十分敏感的，故而對IGBT進行裝配焊接作業(yè)時也必須注意以下事項：
——在需要用手接觸IGBT前，應(yīng)先將人體上的靜電放電后再進行操作，并盡量不要接觸模塊的驅(qū)動端子部分，必須接觸時要保證此時人體上所帶的靜電已全部放掉；
——在焊接作業(yè)時，為了防止靜電可能損壞IGBT，焊機一定要可靠地接地。
2．2集電極與發(fā)射極間的過壓保護
過電壓的產(chǎn)生主要有兩種情況，一種是施加到IGBT集電極－發(fā)射極間的直流電壓過高，另一種為集電極－發(fā)射極上的浪涌電壓過高。
2.2.1直流過電壓
直流過壓產(chǎn)生的原因是由于輸入交流電源或IGBT的前一級輸入發(fā)生異常所致。解決的辦法是在選取IGBT時，進行降額設(shè)計；另外，可在檢測出這一過壓時分斷IGBT的輸入，保證IGBT的安全。
2.2.2浪涌電壓的保護
因為電路中分布電感的存在，加之IGBT的開關(guān)速度較高，當IGBT關(guān)斷時及與之并接的反向恢復(fù)二極管逆向恢復(fù)時，就會產(chǎn)生很大的浪涌電壓Ldi/dt，威脅IGBT的安全。
通常IGBT的浪涌電壓波形如圖3所示。
圖中：vCE為IGBT?電極－發(fā)射極間的電壓波形；
ic為IGBT的集電極電流；
Ud為輸入IGBT的直流電壓；
VCESP=Ud＋Ldic/dt,為浪涌電壓峰值。
如果VCESP超出IGBT的集電極－發(fā)射極間耐壓值VCES，就可能損壞IGBT。解決的辦法主要有：
——在選取IGBT時考慮設(shè)計裕量；
——在電路設(shè)計時調(diào)整IGBT驅(qū)動電路的Rg，使di/dt盡可能��；
——盡量將電解電容靠近IGBT安裝，以減小分布電感；
——根據(jù)情況加裝緩沖保護電路，旁路高頻浪涌電壓。
由于緩沖保護電路對IGBT的安全工作起著很重要的作用，在此將緩沖保護電路的類型和特點作一介紹。
——C緩沖電路如圖4(a)所示，采用薄膜電容，靠近IGBT安裝，其特點是電路簡單，其缺點是由分布電感及緩沖電容構(gòu)成LC諧振電路，易產(chǎn)生電壓振蕩，而且IGBT開通時集電極電流較大。
——RC緩沖電路如圖4(b)所示，其特點是適合于斬波電路，但在使用大容量IGBT時，必須使緩沖電阻值增大，否則，開通時集電極電流過大，使IGBT功能受到一定限制。
——RCD緩沖電路如圖4(c)所示，與RC緩沖電路相比其特點是，增加了緩沖二極管從而使緩沖電阻增大，避開了開通時IGBT功能受阻的問題。
該緩沖電路中緩沖電阻產(chǎn)生的損耗為
P=LI2f＋CUd2f式中：L為主電路中的分布電感；
I為IGBT關(guān)斷時的集電極電流；
f為IGBT的開關(guān)頻率；
C為緩沖電容；
Ud為直流電壓值。
——放電阻止型緩沖電路如圖4(d)所示，與RCD緩沖電路相比其特點是，產(chǎn)生的損耗小，適合于高頻開關(guān)。
在該緩沖電路中緩沖電阻上產(chǎn)生的損耗為
P=1/2LI2f+1/2CUf
根據(jù)實際情況選取適當?shù)木彌_保護電路，抑制關(guān)斷浪涌電壓。在進行裝配時，要盡量降低主電路和緩沖電路的分布電感，接線越短越粗越好。
2．3集電極電流過流保護
對IGBT的過流保護，主要有3種方法。
2.3.1用電阻或電流互感器檢測過流進行保護
如圖5（a）及圖5（b）所示，可以用電阻或電流互感器與IGBT串聯(lián)，檢測流過IGBT集電極的電流。當有過流情況發(fā)生時，控制執(zhí)行機構(gòu)斷開IGBT的輸入，達到保護IGBT的目的。
2.3.2由IGBT的VCE(sat)檢測過流進行保護
如圖5（c）所示，因VCE(sat)=IcRCE(sat)，當Ic增大時，VCE(sat)也隨之增大，若柵極電壓為高電平，而VCE為高，則此時就有過流情況發(fā)生，此時與門輸出高電平，將過流信號輸出，控制執(zhí)行機構(gòu)斷開IGBT的輸入，保護IGBT。
2.3.3檢測負載電流進行保護
此方法與圖5（a）中的檢測方法基本相同，但圖5（a）屬直接法，此屬間接法，如圖5（d）所示。若負載短路或負載電流加大時，也可能使前級的IGBT的集電極電流增大，導(dǎo)致IGBT損壞。由負載處（或IGBT的后一級電路）檢測到異常后，控制執(zhí)行機構(gòu)切斷IGBT的輸入，達到保護的目的。
2．4過熱保護
一般情況下流過IGBT的電流較大，開關(guān)頻率較高，故而器件的損耗也比較大，如果熱量不能及時散掉，使得器件的結(jié)溫Tj超過Tjmax，則IGBT可能損壞。
IGBT的功耗包括穩(wěn)態(tài)功耗和動態(tài)動耗，其動態(tài)功耗又包括開通功耗和關(guān)斷功耗。在進行熱設(shè)計時，不僅要保證其在正常工作時能夠充分散熱，而且還要保證其在發(fā)生短時過載時，IGBT的結(jié)溫也不超過Tjmax。
當然，受設(shè)備的體積和重量等的限制以及性價比的考慮，散熱系統(tǒng)也不可能無限制地擴大。可在靠近IGBT處加裝一溫度繼電器等，檢測IGBT的工作溫度。控制執(zhí)行機構(gòu)在發(fā)生異常時切斷IGBT的輸入，保護其安全。
除此之外，將IGBT往散熱器上安裝固定時應(yīng)注意以下事項：
——由于熱阻隨IGBT安裝位置的不同而不同，因此，若在散熱器上僅安裝一個IGBT時，應(yīng)將其安裝在正中間，以便使得熱阻最小；當要安裝幾個IGBT時，應(yīng)根據(jù)每個IGBT的發(fā)熱情況留出相應(yīng)的空間；
——使用帶紋路的散熱器時，應(yīng)將IGBT較寬的方向順著散熱器的紋路，以減少散熱器的變形；
——散熱器的安裝表面光潔度應(yīng)≤10μm，如果散熱器的表面不平，將大大增加散熱器與器件的接觸熱阻，甚至在IGBT的管芯和管殼之間的襯底上產(chǎn)生很大的張力，損壞IGBT的絕緣層；
——為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。
3結(jié)語
在應(yīng)用IGBT時應(yīng)根據(jù)實際情況，采取相應(yīng)的保護措施。只要在過壓、過流、過熱等幾個方面都采取有效的保護措施后，在實際應(yīng)用中均能夠取得良好的效果，保證IGBT安全可靠地工作。 兩個單向可控硅反并聯(lián)可替代雙向可控硅
三個單向可控硅共陽連接可替代三相共陽模塊
我公司生產(chǎn)大功率單向可控硅，可替代雙向可控硅或三相共陽模塊實現(xiàn)高電壓的應(yīng)用,同時供應(yīng)高耐壓肖特基二極管,希望能在各類開關(guān)電源，無功補償控制器等領(lǐng)域與您合作！ 如有打擾,請多包涵!!
我公司的產(chǎn)品簡表如下； （單向可控硅）：
TYN1890C 90A 1800V/1600V/1400V/1200V TO-3P封裝
TYN1665C 65A 1800V/1600V/1400V/1200V TO-247封裝
TYN1855C 55A 1800V/1600V/1400V/1200V TO-247封裝
TYN50C 50A 1800V/1600V/1400V/1200V TO-247封裝 （雙向可控硅）：
BTB41 1000V/800V TO-3P封裝
BTB25 1000V/800V TO-3P封裝 （肖特基二極管）：
美國IR品牌：30CPQ040 / 30CPQ045 / 30CPQ050 / 30CPQ080 / 40CPQ035 / 40CPQ040 / 40CPQ045 / 40CPQ050 / 40CPQ060 / 40CPQ100 （均為TO-247封裝）
美國Microsemi品牌：FST30120 / FST30150 / FST40120 / FST65100 / FST65150 / FST84150 / USD4030C / USD4040C / USD4045C / USD4530C / USD4540C / USD4545C （均為TO-247封裝） 供應(yīng)高耐壓肖特基二極管：1A/2A/4A/5A/10A/20A 600V/1200V TO-220/TO-263/TO-247
南京鵬圖機電設(shè)備有限公司
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