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NVE數(shù)字隔離芯片與光耦隔離的區(qū)別和優(yōu)勢
１、傳輸速度：光耦的傳輸速率上限一般25M，而NVE數(shù)字隔離芯片的信號傳輸速率比光耦要高上很多倍，最高可以達到150Mbps,其中IL600A/IL600系列（工控級）數(shù)字隔離芯片波特率為10Mbps/100Mbps，無源電流型輸入(驅(qū)動電流5mA)，可以更好地替代高端光耦。
２、脈沖失真：NVE數(shù)字隔離芯片的傳輸延遲在15ns以下；脈寬延遲（PWD）在3ns以下； IL700S系列更是在0.3ns以下；傳輸延遲偏斜在10ns以下。此外，脈沖輸出有邊沿去抖動功能，抖動控制在50ps以下，相對光耦隔離，數(shù)字隔離芯片的信號保真度要強很多倍。
３、封裝體積：光耦的封裝體積受晶元結(jié)構(gòu)影響相對封裝較大，比如單通道6N137是DIP-8，平均體積9.66mm*6.4mm，而NVE數(shù)字隔離芯片的晶元由于采用的是巨磁阻材料疊加原理，封裝體積非常小，在一個6mm*10mm的體積上，可以做到多達5路的信號隔離通道。值得一提的是NVE數(shù)字隔離芯片在兩路以下（包含兩路）信號隔離時可以做到3mm*5mm的體積（業(yè)界最小MSOP8封裝）。從這個方面講數(shù)字隔離芯片可以節(jié)省75%以上的PCB面積，因此在一些體積要求特別嚴格的領(lǐng)域，NVE數(shù)字隔離芯片有著明顯的優(yōu)勢。
４、工作溫度范圍： NVE數(shù)字隔離芯片工控級產(chǎn)品推薦溫度是-40°C to +85°C，IL700T系列工作溫度-40°C to +125°C，值得提出的是NVE數(shù)字隔離芯片隨著工作溫度的上升，性能基本上沒有變化，而光耦隨著溫度的上升性能將明顯降低。
５、工作電壓、電流 NVE數(shù)字隔離芯片兼容3.3V及5V的工作系統(tǒng)，電流型器件的輸入電流只需5MA驅(qū)動電流；電壓型器件的每通道輸入驅(qū)動電流只為UA級。
６、功耗和壽命：光耦采用光電隔離，功耗相對較大，且有光衰現(xiàn)象。而NVE數(shù)字隔離芯片采用巨磁阻材料疊加原理，功耗非常小，從而保障了器件的工作壽命，在軍工級和工業(yè)級領(lǐng)域，產(chǎn)品在長壽命、穩(wěn)定性能這塊要求特別苛刻，目前，NVE數(shù)字隔離芯片在軍工和工控領(lǐng)域已經(jīng)應(yīng)用非常廣泛，也因此節(jié)省很多售后服務(wù)和支持的費用。
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