C35 GTO緩沖吸收電容器
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型號
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規(guī)格
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價格(元）
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尺寸（mm)
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引出
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C35
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0.47vF/5000V
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50
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Φ53*L50
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M6
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價格僅供參考，以報價單為準(zhǔn)。
主要應(yīng)用/Application
廣泛應(yīng)用于GTO緩沖吸收以及大電流，高壓場合。
Widely used in GTO snubber，high current and high voltage application.
產(chǎn)品特點/Characteristics
電介質(zhì)：聚丙烯薄膜
結(jié)構(gòu)：金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)
封裝：外包阻燃邁拉膠帶，阻燃（94V-0級）環(huán)氧封裝
引出： M6或M8銅螺母引出
能承受大電流，高電壓
低損耗、高穩(wěn)定
具有自愈性
Dielectric：Polypropylene film
Construction：Metalized film internal series connection
Coating：Polyester tape wrapping with resin sealing.
Flame retardant execution（UL94V-0）
Terminals：Copper nut leads，threaded insert M5,M6 or M8
High current，high voltage
Low losses，high stability
Self healing
技術(shù)性能/Specifications
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引用標(biāo)準(zhǔn)/Reference standards
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GB/T 17702 IEC 61071
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工作溫度范圍/Operating temperature range
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-40℃～85℃
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容量范圍/Capacitance
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0.33μF～3.0μF
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額定電壓/Rated Voltage
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4000Vdc～10 000Vdc
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容量偏差/Tolerance
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±5% ±10%
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極間耐電壓/Test voltage between terminals
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1.5Ur（Vdc）10s 25℃±5℃
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極殼耐電壓/Test voltage between terminals and case
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3000V 50Hz 60s，25℃±5℃
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損耗角正切/Dissipation factor
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tgδ≤8×10-4 at 25℃±5℃，1kHz
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絕緣電阻/Insulation resistance
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C×R≥30000s，at 100Vdc，25℃±5℃，60s
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預(yù)期壽命/Life expectancy
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200000h at Ur and 70℃
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此產(chǎn)品關(guān)鍵字：
IGBT吸收電容、IGBTSNUBBER、IGBT吸收電容廠家、IGBT吸收電容價格
華裕電容-高品質(zhì)金屬化薄膜電容專業(yè)制造商
