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日本自組裝新技術(shù)助力芯片實(shí)現(xiàn)層疊

http://www.bfqmb.cn 2009-02-13 09:36 來源:工業(yè)控制

  日本東北大學(xué)研究生院工學(xué)研究科生物機(jī)器人專業(yè)教授小柳光正發(fā)布了由其研究小組推進(jìn)的系統(tǒng)集成技術(shù)的成果。該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)將邏輯LSI、存儲(chǔ)器、MEMS元件以及功率IC等不同種類的元件層疊成三維狀的“超級(jí)芯片”。

  小柳的研究小組此前一直在開發(fā)可降低超級(jí)芯片的工藝成本和提高成品率所需的一系列技術(shù)。此次發(fā)布的成果如下:(1)自組裝技術(shù)在三維疊層領(lǐng)域的應(yīng)用;(2)可形成階梯的芯片間布線技術(shù);(3)RF元件的試制。

  自組裝技術(shù)用于進(jìn)行三維層疊時(shí)的位置重合。該技術(shù)能夠以低成本實(shí)現(xiàn)芯片層疊。一般在三維層疊中,如果成品率高且疊層少,則晶圓級(jí)疊層(晶圓對(duì)晶圓)在成本上占優(yōu)勢(shì)。如果成品率低或疊層多,則在晶圓上層疊芯片的芯片對(duì)晶圓、或者芯片間層疊(芯片對(duì)芯片)在成本上占優(yōu)勢(shì)。對(duì)此,小柳將數(shù)千~數(shù)萬枚疊層納入研究范圍,開發(fā)出了能夠使成本容易升高的芯片對(duì)芯片層疊的成本降低的技術(shù)。

  小柳的開發(fā)目標(biāo)是,能夠簡(jiǎn)單地對(duì)芯片層疊芯片的工序進(jìn)行統(tǒng)一處理。因此采用了自組裝技術(shù)。具體為,在芯片的正確疊合和接合過程中使用液體。在晶圓表面上,只對(duì)能夠重疊芯片的部分進(jìn)行親水處理,并在此處滴上液體。該液體滴到芯片上后,芯片即使錯(cuò)位也能根據(jù)液體的表面張力自動(dòng)疊合到實(shí)施了親水處理的部分。疊合精度由親水處理模型的形成精度決定。另外,液體干燥后,還可進(jìn)行物理接合或電氣接合。利用該方法可統(tǒng)一疊合多枚芯片。因此,該小組在芯片對(duì)芯片層疊的接合安裝工序中導(dǎo)入了統(tǒng)一處理(批處理)半導(dǎo)體前工序的概念。通過該方法,實(shí)際可在200mm晶圓上統(tǒng)一安裝多枚芯片,實(shí)現(xiàn)了精度為0.4μm的位置疊合和接合。

  另外,為發(fā)揮統(tǒng)一處理的優(yōu)勢(shì),需要開發(fā)一種能將多枚芯片高效地放到芯片疊合用夾具上的方法。此次小柳沒有公布該方法,但表示目前正在開發(fā),一定能夠?qū)崿F(xiàn)。

  階梯式布線用于晶圓上多枚芯片間的電氣連接。該技術(shù)不是面向三維疊層的,而是面向同一個(gè)硅晶圓上多枚芯片間的布線。芯片側(cè)面通過曝光工藝形成了圖案。該研究小組證實(shí),在階梯間距為100μm的芯片上能夠形成線寬20μm的銅布線。

  試制芯片是通過將RF電路模塊化后實(shí)現(xiàn)的。該小組通過中的自組裝技術(shù)在晶圓上安裝了模擬LSI、數(shù)字LSI、電容器芯片以及電感器芯片。還通過布線技術(shù)將各芯片連接起來。其中,電感器芯片通過形成空洞提高了電感器特性。具體為,將形成線圈的繞組結(jié)構(gòu)的縫隙空出來。而以前該縫隙用硅填補(bǔ)。

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