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全球工控內存領導品牌宇瞻科技積極拓展工規(guī)內存產品線，并在策略伙伴三星電子(SAMSUNG ELECTRONICS CO.,Ltd )全力支持下，推出首款搭載三星原廠工規(guī)等級顆粒的DDR4寬溫系列內存，專為長時間運轉于極端溫度下之工業(yè)用設備提供強固型完整解決方案。結合Underfill加值技術，以及工規(guī)等級寬溫零組件，宇瞻DDR4寬溫系列內存具備耐溫與高可靠性之特色，并整合抗震、抗熱沖擊(Thermal Shock)能力，擴大寬溫內存產品應用的范圍，滿足嚴苛環(huán)境的工控產品需求。

全工規(guī)等級零組件  高低溫環(huán)境下穩(wěn)定性再進擊

為了在嚴峻惡劣環(huán)境中仍能維持高效穩(wěn)定的運作性能，DDR4寬溫系列內存不僅采用三星原廠工規(guī)等級寬溫顆粒，被動組件部份亦提升為全工規(guī)等級。寬溫系列內存采用工規(guī)等級電容及電阻，最大耐溫能力高達125℃的電容可使電壓供應在高溫環(huán)境下更穩(wěn)定；工規(guī)等級的精密電阻(±1%)，誤差率較低、匹配度較高，可大幅提升電路穩(wěn)定性及耐用度。此外，為避免惡劣環(huán)境導致的訊號傳輸不穩(wěn)定的問題，DDR4寬溫內存PCB 加強鍍金厚度達30μ的金手指設計。

Underfill強固技術 提高產品可靠度

Underfill底部填充技術運用于內存BGA 芯片底部，目的在強化產品抗震/抗熱沖擊能力。在面對高低溫差較大的情況時下，硅材料做成芯片與一般基板(PCB)材質的熱膨脹系數(shù)不同，因此在熱循環(huán)的溫度沖擊試驗(Thermal Shock Test)中常會有相對位移產生，造成焊點脫落或斷裂，Underfill底部填充技術可有效提高錫球與電路板間焊點強度、降低熱應力破壞、增加產品可靠度，進而提高產品使用壽命。

宇瞻科技推出全新工業(yè)用寬溫DDR4 SODIMM內存，容量最大可達16GB，頻率支持2133/2400MHz，搭載高質量DDR4寬溫顆粒及工規(guī)等級組件，采用Underfill技術，能適應兩極化的工作溫度，為系統(tǒng)帶來無懈可擊的耐用度。通過以極端冷熱溫度交替方式進行的溫度沖擊試驗(Thermal Shock Test)，可于-40°C低溫到85°C高溫測試的溫度范圍內運作，適用于軍事、車載、戶外、強固型計算機等工業(yè)用設備解決方案。

宇瞻科技DDR4 Wide Temperature系列內存規(guī)格: